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南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET

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南麟NP3415 p 沟道增强型MOSFET

描述 NP3415E采用先进的沟槽技术为了提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和以低至1.8V的栅极电压工作。这器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。一般特征  VDS =-20V，ID =-4A RDS(开)(典型值。)= 42mω@ VGS =-2.5V RDS(开)(典型值。)= 38.3mω@ VGS =-4.5V 高功率和电流处理能力收购无铅产品 表面贴装封装  ESD额定值:2500伏HBM 应用  PWM应用 负荷开关

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