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南麟NP3400 30V N沟道增强型MOSFET管

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上架日期：2022-07-15 17:08:28

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30V N沟道增强型MOSFET

描述 NP3400B采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(上) 五世低栅极电荷和高超低导通电阻的密度单元设计。这器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。一般特征 DS =30V，ID R =5A DS(开)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V RDS(开)(典型值。)= 31mω@ VGS 高功率和电流处理能力 =4.5V 收购无铅产品 表面贴装封装应用  PWM应用 负荷开关

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