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南麟NP2302系列20V N沟道增强型MOSFET

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南麟NP2302系列20V N沟道增强型MOSFET

描述 NP2302FHR采用先进的沟槽技术以提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高超低导通电阻的密度单元设计。这器件适合用作负载开关或用于PWM 应用程序。一般特征  VDS =20V，ID =3A RDS(开)(典型值。)= 45mω@ VGS = 4.5V RDS(开)(典型值。)= 73mω@ VGS = 2.5V 高功率和电流处理能力收购无铅产品 表面贴装封装

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