产品参数 | |||
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全新IGBT功率模块 BSM15GD120DLCE3224/35GD120DLCE3224 品牌 | Infineon英飞凌 | ||
可控硅类型 | IGBT 模块 | ||
最小包装量 | 盒装 | ||
产品种类 | IGBT 模块 | ||
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V | ||
集电极—射极饱和电压 | 2.05 V | ||
在25 C的连续集电极电流 | 900 A | ||
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA | ||
Pd-功率耗散 | 5.1 kW | ||
最小工作温度 | - 40 C | ||
最大工作温度 | 150 C | ||
封装 | Tray | ||
商标 | Infineon Technologies | ||
栅极/发射极最大电压 | 20 V | ||
安装风格 | Chassis Mount | ||
产品类型 | IGBT Modules | ||
系列 | Trenchstop IGBT4 - E4 | ||
子类别 | IGBTs | ||
零件号别名 | SP000614712 FF900R12IE4BOSA1 | ||
数量 | 2388 | ||
批号 | 最新批号 | ||
可售卖地 | 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃;青海;宁夏;新疆 | ||
型号 | BSM15GD120DLCE3224 |