产品简介
.jpg "DMN1260UFA-7B电子元器件DIODES封装-批次22")
详细说明
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DIODES | ||
| 批号 | 22 | ||
| 数量 | 10000 | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ||
| 产品种类 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安装风格 | SMD/SMT | ||
| 封装 / 箱体 | X2-DFN0806-3 | ||
| 晶体管极性 | N-Channel | ||
| 通道数量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V | ||
| Id-连续漏极电流 | 200 mA | ||
| Rds On-漏源导通电阻 | 366 mOhms | ||
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 8 V | ||
| 8 V | |||
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V | ||
| Qg-栅极电荷 | 960 pC | ||
| 最小工作温度 | - 55 C | ||
| 最大工作温度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 360 mW | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 配置 | Single | ||
| 系列 | DMN1260 | ||
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | ||
| 下降时间 | 59.2 ns | ||
| 上升时间 | 18.8 ns | ||
| 典型关闭延迟时间 | 106.5 ns | ||
| 典型接通延迟时间 | 7.4 ns | ||
| 单位重量 | 1 mg | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | DMN1260UFA-7B | ||
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技术参数
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMN1260UFA-7B |
| 封装： | - |
| 批号： | 22 |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | X2-DFN0806-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 366 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 960 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | DMN1260 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 59.2 ns |
| 上升时间： | 18.8 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 106.5 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7.4 ns |
| 单位重量： | 1 mg |
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