FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
Id时的Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W
安装类型:表面贴装
英文描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述:的P -沟道增强型场效应晶体管